Rasterelektronenmikroskopie
– 0,5 kV – 30 kV, 100 nA
– Niedervakuum-Bildgebung in N<sub>2</sub> und H<sub>2</sub>O
– Everhart-Thornley/ET (Hochvakuum) und gasförmige/GSD (Niedervakuum) Sekundärelektronen-/SE-Detektoren
– Niederenergie-Rückstreuelektronen-/BSE-Detektor
– Energiefilterte, in-Säulen-Detektion und Low-kV-Bildgebung (Phasenkontrast und Topografie)
– CMOS-basierte, schnelle Elektronenrückstreubeugung/EBSD (Oxford Instruments Symmetry2)
– 100 mm<sup>2</sup> energiedispersives Röntgenspektrometer/EDX (Oxford Instruments Ultimax 100)
– Kathodolumineszenz/CL (Delmic Sparc Compact), PMT (~200 nm – 850 nm), optional wellenlängengefiltert mit verschiedenen Bandpassfiltern (5–100 nm Breite), Hoch- oder Tiefpassfiltern
– Großflächige Panoramaaufnahme (Elektronenbilder, EDX, EBSD, CL)
– zerstörungsfreies Schneiden von Proben bei niedriger Geschwindigkeit
– Hochvakuum-Imprägnierung von Proben
– polierte Dünnschnitte oder in Harz eingebettete Proben (bis zu 1/4 µm Diamant), auch wasserfrei
– chemisches Polieren (kolloidales Siliziumdioxid)
– Hochvakuum-Kohlenstoffbeschichtung



